NP75P03YDG-E1-AY
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| Numero di parte | NP75P03YDG-E1-AY |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NP75P03YDG-E1-AY | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5872 pcs | Scheda dati | NP75P03YDG |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-HSON | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 37.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta), 138W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Altri nomi | NP75P03YDG-E1-AYCT NP75P03YDGE1AY |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 141nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount 8-HSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
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