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N0601N-ZK-E1-AY

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Numero di parte N0601N-ZK-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5977 pcs
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Numero di parte N0601N-ZK-E1-AY fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5977 pcs Scheda dati N0601N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 156W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7730pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount TO-263 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)

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