N0603N-S23-AY
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| Numero di parte | N0603N-S23-AY |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.353 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | N0603N-S23-AY | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 64138 pcs | Scheda dati | N0603N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-262 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 156W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7730pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
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- Parte#:
HKQ0603W1N1B-T - Produttori:
Taiyo Yuden - Descrizione:
FIXED IND 1.1NH 750MA 100 MOHM - Disponibile:
5151490