HAT2299WP-EL-E
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| Numero di parte | HAT2299WP-EL-E |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH WPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HAT2299WP-EL-E | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH WPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5552 pcs | Scheda dati | HAT2299WP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-WPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 110 mOhm @ 7A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 150V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 14A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount 8-WPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
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