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HAT2173H-EL-E

HAT2173H-EL-E
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Numero di parte HAT2173H-EL-E
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 68874 pcs
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Numero di parte HAT2173H-EL-E fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 68874 pcs Scheda dati HAT2173H
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 6V @ 20mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 15 mOhm @ 12.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SC-100, SOT-669
Altri nomi HAT2173H-EL-E-ND
HAT2173H-EL-ETR
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)

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