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HAT2169H-EL-E

HAT2169H-EL-E
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Numero di parte HAT2169H-EL-E
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 52098 pcs
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Numero di parte HAT2169H-EL-E fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 52098 pcs Scheda dati HAT2169H
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5 mOhm @ 25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SC-100, SOT-669
Altri nomi HAT2169H-EL-ECT temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6650pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 50A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta)

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