PHU11NQ10T,127
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| Numero di parte | PHU11NQ10T,127 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PHU11NQ10T,127 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5062 pcs | Scheda dati | PHU11NQ10T |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 57.7W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.7nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10.9A (Tc) |
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