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PHU66NQ03LT,127

PHU66NQ03LT,127
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Numero di parte PHU66NQ03LT,127
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4607 pcs
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Numero di parte PHU66NQ03LT,127 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 25V 66A SPT533 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4607 pcs Scheda dati PHP,PHU66NQ03LT
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 10.5 mOhm @ 25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi 934058327127
PHU66NQ03LT
PHU66NQ03LT-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 25V Descrizione dettagliata N-Channel 25V 66A (Tc) 93W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)

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