PHM30NQ10T,518
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| Numero di parte | PHM30NQ10T,518 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PHM30NQ10T,518 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5785 pcs | Scheda dati | PHM30NQ10T |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-HVSON (6x5) | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 18A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | 934057308518 PHM30NQ10T /T3 PHM30NQ10T /T3-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 37.6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 37.6A (Tc) |
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