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PHM15NQ20T,518

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Numero di parte PHM15NQ20T,518
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4039 pcs
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Numero di parte PHM15NQ20T,518 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4039 pcs Scheda dati PHM15NQ20T
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-HVSON (6x5) Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 85 mOhm @ 15A, 10V Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad
Altri nomi 934057304518
PHM15NQ20T /T3
PHM15NQ20T /T3-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 17.5A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17.5A (Tc)

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