JAN1N5553US
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| Numero di parte | JAN1N5553US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.863 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N5553US | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 7163 pcs | Scheda dati | 1N5550US thru 1N5554US |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.3V @ 9A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 800V | Contenitore dispositivo fornitore | D-5B |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 2µs | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SQ-MELF, B | Altri nomi | 1086-19416 1086-19416-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1µA @ 800V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 3A | Capacità a Vr, F | - |
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