JAN1N5550
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| Numero di parte | JAN1N5550 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.812 | $3.431 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JAN1N5550 | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 8750 pcs | Scheda dati | 1N5550-54 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.2V @ 9A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 200V | Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 | Tempo di ripristino inverso (trr) | 2µs |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | B, Axial |
| Altri nomi | 1086-2096 1086-2096-MIL |
Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 200V 3A Through Hole |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1µA @ 200V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 3A |
| Capacità a Vr, F | - |
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