APTSM120AM14CD3AG
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| Numero di parte | APTSM120AM14CD3AG |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | POWER MODULE - SIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $155.81 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | APTSM120AM14CD3AG | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | POWER MODULE - SIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 210 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 9mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Module | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V | Potenza - Max | 2140W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | Module |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) | Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 337A (Tc) |
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