APTSM120AM09CD3AG
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| Numero di parte | APTSM120AM09CD3AG |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $222.983 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | APTSM120AM09CD3AG | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 152 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 9mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Module | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | Module | temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) Chassis Mount Module |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 337A (Tc) |
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