APTM100DA18T1G
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| Numero di parte | APTM100DA18T1G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM100DA18T1G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4136 pcs | Scheda dati | Power Products CatalogAPTM100DA18T1G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP1 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 216 mOhm @ 33A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 657W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP1 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 1000V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
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