APTM100A13SCG
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| Numero di parte | APTM100A13SCG |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $91.241 | $86.838 | $83.692 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM100A13SCG | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 408 pcs | Scheda dati | APTM100A13SCG |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 6mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 156 mOhm @ 32.5A, 10V | Potenza - Max | 1250W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP6 |
| Altri nomi | APTM100A13SCGMI APTM100A13SCGMI-ND |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 65A |
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