APT5012JN
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| Numero di parte | APT5012JN |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APT5012JN | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5342 pcs | Scheda dati | APT5010JN, APT5012JN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ISOTOP® | Serie | POWER MOS IV® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 120 mOhm @ 21.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 370nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 43A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
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