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APT5010B2LLG

APT5010B2LLG
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Numero di parte APT5010B2LLG
fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
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Numero di parte APT5010B2LLG fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5269 pcs Scheda dati APT5010(B2,L)LL(G)Power Products Catalog
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2] Serie POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs 100 mOhm @ 23A, 10V Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 17 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc)

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