2N6782
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| Numero di parte | 2N6782 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V TO-205AF |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2N6782 | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V TO-205AF | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5720 pcs | Scheda dati | 2N6782,84,86 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-39 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 15W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-205AF Metal Can |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 3.5A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
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