2N6770T1
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| Numero di parte |
2N6770T1 |
| fabbricante |
Microsemi |
| Descrizione |
MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
Contiene piombo / RoHS non conforme |
In Stock 5704 pcs |
Prezzo di Riferimento
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte |
2N6770T1 |
fabbricante |
Microsemi |
| Descrizione |
MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA |
Stato Lead senza piombo / RoHS |
Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile |
5704 pcs |
Scheda dati |
2N6764,66,68,70T1 |
| Categoria |
Prodotti a semiconduttore discreti |
Vgs (th) (max) a Id |
4V @ 250µA |
| Vgs (Max) |
±20V |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore |
TO-254AA |
Serie |
- |
| Rds On (max) a Id, Vgs |
500 mOhm @ 12A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) |
4W (Ta), 150W (Tc) |
| imballaggio |
Bulk |
Contenitore / involucro |
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio |
Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) |
1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
120nC @ 10V |
Tipo FET |
N-Channel |
| Caratteristica FET |
- |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Tensione drain-source (Vdss) |
500V |
Descrizione dettagliata |
N-Channel 500V 12A (Ta) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
12A (Ta) |
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