MT46V128M4CY-5B:J
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| Numero di parte | MT46V128M4CY-5B:J |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1368 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.602 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT46V128M4CY-5B:J | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 7636 pcs | Scheda dati | MT46V128M4, 64M8, 32M16 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.5 V ~ 2.7 V | Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Serie | - | temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 512Mb (128M x 4) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps | Frequenza dell'orologio | 200MHz |
| Tempo di accesso | 700ps |
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