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MT46V128M4BN-75:D TR

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Numero di parte MT46V128M4BN-75:D TR
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 3002 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte MT46V128M4BN-75:D TR fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 3002 pcs Scheda dati
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 2.3 V ~ 2.7 V Tecnologia SDRAM - DDR
Contenitore dispositivo fornitore 60-FBGA (10x12.5) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 60-TFBGA
Altri nomi MT46V128M4BN-75:D TR-ND
MT46V128M4BN-75:DTR
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 5 (48 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 512Mb (128M x 4)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 133MHz 750ps 60-FBGA (10x12.5)
Frequenza dell'orologio 133MHz Numero di parte base MT46V128M4
Tempo di accesso 750ps

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