MT41K256M16TW-125:P
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| Numero di parte | MT41K256M16TW-125:P |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT41K256M16TW-125:P | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5169 pcs | Scheda dati | MT41K1G4, K512M8, K256M16 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.283 V ~ 1.45 V | Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Serie | - | temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns | Frequenza dell'orologio | 800MHz |
| Tempo di accesso | 20ns |
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