MT41K256M16TW-107 V:P
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| Numero di parte | MT41K256M16TW-107 V:P |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1368 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.064 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MT41K256M16TW-107 V:P | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 11805 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.283 V ~ 1.45 V | Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Serie | - | Altri nomi | MT41K256M16TW-107 V:P-ND MT41K256M16TW-107V:P |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns |
| Frequenza dell'orologio | 933MHz | Tempo di accesso | 20ns |
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