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MT41J512M8THU-187E:A

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Numero di parte MT41J512M8THU-187E:A
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1354 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte MT41J512M8THU-187E:A fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1354 pcs Scheda dati
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.425 V ~ 1.575 V Tecnologia SDRAM - DDR3
Contenitore dispositivo fornitore - Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 82-FBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 533MHz 13.125ns Frequenza dell'orologio 533MHz
Numero di parte base MT41J512M8 Tempo di accesso 13.125ns

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