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MT41J64M16JT-125:G

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Numero di parte MT41J64M16JT-125:G
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 20058 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte MT41J64M16JT-125:G fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 20058 pcs Scheda dati 1Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.425 V ~ 1.575 V Tecnologia SDRAM - DDR3
Contenitore dispositivo fornitore 96-FBGA (8x14) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 96-TFBGA
Altri nomi 557-1628
MT41J64M16JT-125:G-ND
temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 800MHz 96-FBGA (8x14)
Frequenza dell'orologio 800MHz Numero di parte base MT41J64M16

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