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DS1250Y-100+

DS1250Y-100+
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Numero di parte DS1250Y-100+
fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 925 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs50 pcs100 pcs
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Numero di parte DS1250Y-100+ fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 925 pcs Scheda dati DS1250Y, AB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 100ns
Tensione di alimentazione - 4.5 V ~ 5.5 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 32-EDIP Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria NVSRAM Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
Numero di parte base DS1250Y Tempo di accesso 100ns

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