DS1250W-100IND
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| Numero di parte | DS1250W-100IND |
|---|---|
| fabbricante | Maxim Integrated |
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | DS1250W-100IND | fabbricante | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4635 pcs | Scheda dati | DS1250W |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 100ns |
| Tensione di alimentazione - | 3 V ~ 3.6 V | Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 32-EDIP | Serie | - |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | NVSRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP | Numero di parte base | DS1250W |
| Tempo di accesso | 100ns |
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