RTU002P02T106
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| Numero di parte | RTU002P02T106 |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.058 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RTU002P02T106 | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 405870 pcs | Scheda dati | RTU002P02 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UMT3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | RTU002P02T106TR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
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