IPU60R1K4C6BKMA1
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| Numero di parte | IPU60R1K4C6BKMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Non applicabile / Non applicabile |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPU60R1K4C6BKMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Non applicabile / Non applicabile |
| quantità disponibile | 4348 pcs | Scheda dati | IPU60R1K4C6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 90µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 28.4W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Not applicable / Not applicable | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
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