IPU60R1K0CEAKMA1
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| Numero di parte | IPU60R1K0CEAKMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPU60R1K0CEAKMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4441 pcs | Scheda dati | IPx60R1K0CE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 130µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Serie | CoolMOS™ CE | Rds On (max) a Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | SP001369532 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 4.3A (Tc) Through Hole PG-TO251-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
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