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IPSA70R1K2P7SAKMA1

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Numero di parte IPSA70R1K2P7SAKMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 205738 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IPSA70R1K2P7SAKMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 205738 pcs Scheda dati IPSA70R1K2P7S
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 40µA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO251-3 Serie CoolMOS™ P7
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2 Ohm @ 900mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Altri nomi IPSA70R1K2P7S
SP001664784
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 174pF @ 400V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 400V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 700V
Descrizione dettagliata N-Channel 700V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)

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