IPS80R1K4P7AKMA1
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| Numero di parte | IPS80R1K4P7AKMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.404 | $0.359 | $0.284 | $0.22 | $0.174 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPS80R1K4P7AKMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 128799 pcs | Scheda dati | IPS80R1K4P7 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 700µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi | SP001422736 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | Super Junction |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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