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IPP147N12N3GXKSA1

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Numero di parte IPP147N12N3GXKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 98809 pcs
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Numero di parte IPP147N12N3GXKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 98809 pcs Scheda dati IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 61µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-220-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 14.7 mOhm @ 56A, 10V Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi IPP147N12N3 G
IPP147N12N3 G-ND
IPP147N12N3G
SP000652742
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 120V Descrizione dettagliata N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Ta)

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