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IPP200N15N3GXKSA1

IPP200N15N3GXKSA1
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Numero di parte IPP200N15N3GXKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 53690 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte IPP200N15N3GXKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 53690 pcs Scheda dati IPx200N15N3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 90µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-220-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 20 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-ND
IPP200N15N3G
SP000680884		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 150V Descrizione dettagliata N-Channel 150V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

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