IPI028N08N3GHKSA1
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| Numero di parte | IPI028N08N3GHKSA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPI028N08N3GHKSA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4269 pcs | Scheda dati | IPP,IPI028N08N3 G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 270µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO262-3 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 100A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi | IPI028N08N3 G IPI028N08N3 G-ND SP000395160 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V | Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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