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IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1
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Numero di parte IPI030N10N3GXKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 26069 pcs
Prezzo di Riferimento
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Product parameter

Numero di parte IPI030N10N3GXKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 26069 pcs Scheda dati IPP030N10N3, IPP030N10N3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 275µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 3 mOhm @ 100A, 10V Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi SP000680648 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

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