IPG20N10S4L35AATMA1
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| Numero di parte | IPG20N10S4L35AATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.19 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPG20N10S4L35AATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 120890 pcs | Scheda dati | IPG20N10S4L-35A |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 16µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-10 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 17A, 10V | Potenza - Max | 43W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | SP001091928 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
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