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IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1
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Numero di parte IPG20N06S4L14AATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 82618 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IPG20N06S4L14AATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 82618 pcs Scheda dati IPG20N06S4L-14A
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 13.7 mOhm @ 17A, 10V Potenza - Max 50W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi SP001023846 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2890pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A

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