IPD60R1K4C6ATMA1
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| Numero di parte | IPD60R1K4C6ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.408 | $0.357 | $0.276 | $0.204 | $0.163 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPD60R1K4C6ATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 136707 pcs | Scheda dati | IPD60R1K4C6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 90µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 | Serie | CoolMOS™ C6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 28.4W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | IPD60R1K4C6ATMA1CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
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