IPD60N10S4L12ATMA1
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| Numero di parte | IPD60N10S4L12ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.206 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPD60N10S4L12ATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH TO252-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 107865 pcs | Scheda dati | IPD60N10S4L-12 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 46µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3-313 | Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12 mOhm @ 60A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | IPD60N10S4L12ATMA1-ND IPD60N10S4L12ATMA1TR SP000866550 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3170pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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