BSP300L6327HUSA1
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| Numero di parte | BSP300L6327HUSA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSP300L6327HUSA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4546 pcs | Scheda dati | BSP300 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 | Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20 Ohm @ 190mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi | BSP300 L6327 BSP300 L6327-ND BSP300L6327HUSA1TR BSP300L6327XT SP000089201 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Ta) |
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