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Numero di parte BSP300H6327XUSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 85908 pcs
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Numero di parte BSP300H6327XUSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 85908 pcs Scheda dati BSP300
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT223-4 Serie SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs 20 Ohm @ 190mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi BSP300H6327XUSA1TR
SP001058720
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 800V
Descrizione dettagliata N-Channel 800V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 190mA (Ta)

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  • Parte#:BSP31,115
  • Produttori:Nexperia
  • Descrizione:TRANS PNP 60V 1A SOT223
  • Disponibile:205031
$0.106/pcsInchiesta

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