BSO615CGHUMA1
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| Numero di parte | BSO615CGHUMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.442 | $0.392 | $0.31 | $0.24 | $0.19 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSO615CGHUMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 102832 pcs | Scheda dati | BSO615C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 20µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-DSO-8 | Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V | Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | BSO615CGHUMA1CT BSO615CINCT BSO615CINCT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2A |
| Numero di parte base | BSO615 |
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