BSO612CVGHUMA1
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| Numero di parte | BSO612CVGHUMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.163 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSO612CVGHUMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 118360 pcs | Scheda dati | BSO 612 CV G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 20µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-DSO-8 | Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 10V | Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | BSO612CV G BSO612CV G-ND BSO612CVGHUMA1TR BSO612CVGINTR BSO612CVGINTR-ND BSO612CVGT BSO612CVGXT BSO612CVT BSO612CVXTINTR BSO612CVXTINTR-ND SP000216307 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2A |
| Numero di parte base | BSO612 |
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