BSC123N08NS3GATMA1
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| Numero di parte | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.219 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSC123N08NS3GATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 92412 pcs | Scheda dati | BSC123N08NS3 G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 33µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 33A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 66W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSC123N08NS3 G BSC123N08NS3 G-ND BSC123N08NS3 GTR BSC123N08NS3 GTR-ND BSC123N08NS3G BSC123N08NS3GATMA1TR SP000443916 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V | Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 55A (Tc) |
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