BSC119N03S G
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| Numero di parte | BSC119N03S G |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSC119N03S G | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4653 pcs | Scheda dati | BSC119N03S G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 20µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 30A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 43W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSC119N03S G-ND BSC119N03SGINTR BSC119N03SGXT SP000016416 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 11.9A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.9A (Ta), 30A (Tc) |
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