BSB165N15NZ3GXUMA1
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| Numero di parte | BSB165N15NZ3GXUMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.627 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSB165N15NZ3GXUMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 61502 pcs | Scheda dati | BSB165N15NZ3 G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 110µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 30A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 3-WDSON |
| Altri nomi | BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3 G-ND BSB165N15NZ3 GTR-ND BSB165N15NZ3G BSB165N15NZ3GXUMA1TR SP000617000 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 75V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150V | Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 9A (Ta), 45A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
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