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BSB044N08NN3GXUMA1

BSB044N08NN3GXUMA1
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Numero di parte BSB044N08NN3GXUMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 59873 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte BSB044N08NN3GXUMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 59873 pcs Scheda dati BSB044N08NN3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 97µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™ Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 3-WDSON
Altri nomi BSB044N08NN3 GCT
BSB044N08NN3 GCT-ND
BSB044N08NN3GXUMA1CT		 temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80V Descrizione dettagliata N-Channel 80V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 90A (Tc)

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