IS62WV12816EBLL-45BLI-TR
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| Numero di parte | IS62WV12816EBLL-45BLI-TR |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.468 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS62WV12816EBLL-45BLI-TR | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 84193 pcs | Scheda dati | IS(62,65)WV12816E(A,B)LL |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 45ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.2 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 48-TFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | SRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 45ns 48-TFBGA (6x8) | Tempo di accesso | 45ns |
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